
1200 V TRENCHSTOP™ IGBT

TO-247封装并带有反并联二极管的650 V, 20 A IGBT

TO-247封装并带有反并联二极管的650 V, 30 A IGBT

TO-247封装并带有反并联二极管的650 V, 50 A IGBT

CoolSiC™ 1200 V 碳化硅沟槽 MOSFET

汽车 HEXFET® 功率 MOSFET硅技术与先进的 DirectFET® 封装
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