时间 ：2023-02-07 浏览量：
深圳市美裕芯科技有限公司【电子现货分销商】公司大量现货出售IMBG120R140M1H 1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET 质量保证 全新原装 欢迎你的咨询！！
产品描述：
IMBG120R140M1H 是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。
特征描述
极低的开关损耗
短路能力：3 µs
dV/dt完全可控
栅极阈值电压典型值：VGS(th) = 4.5 V
出色的抗寄生导通能力，能够实现0V关断
牢固的体二极管，可用于硬开关
.XT互联技术，实现一流的热性能
封装爬电距离和电气间隙 > 6.1 mm
Sense引脚，优化了开关性能
优势
提高效率
实现更高的工作频率
增加功率密度
减少冷却工作
降低系统复杂程度和成本
SMD封装，无需增设散热器，即可实现自然对流冷却，因此可直接集成到PCB中
应用领域
不间断电源（UPS）
电动汽车快速充电
工业电机驱动和控制
太阳能系统解决方案
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